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新闻中心吉时利4500-MTS型多通道I-V测试系统可以测试什么项目
4500-MTS 是模块化多通道 SMU 直流源测平台,搭配 4510-QIVC(500mA)/4511-QIVC(1A)四通道 I-V 卡,最大 36 路并行源测,做多器件同步直流 I-V、可靠性老化、并行量产电性测试,覆盖有源 / 无源光电器件、半导体、MEMS、IC 等,下面分大类整理全部测试项目:

一、基础通用直流 I-V 核心测试(所有器件通用)
完整 I-V 曲线扫描
电压源测电流、电流源测电压,生成正向 / 反向、双向扫描 I-V 曲线;支持线性 / 阶梯扫描、双向回扫、定点稳态测量。
电阻类测量
直流阻值、导通电阻、接触电阻、薄膜电阻、MEMS 结构电阻;
高低阻漏阻、绝缘电阻(小电流测高阻 R=V/I);
四线法精密低阻测量。
漏电流 / 漏电测试
反向漏电流、关态漏电流、器件隔离漏电、封装漏电、晶圆介质漏电、光电探测器暗漏电流。
电压 / 电流定点稳态监控
恒压测稳态电流、恒流测稳态电压,长时间持续采样,适合老化监测。
开路 / 短路、通断判定
批量器件开短路良率快速筛查。
二、分立半导体器件测试(二极管、三极管、MOS 等)
1)二极管 / 稳压管 / TVS 保护管
正向伏安特性、正向压降 Vf、正向串联电阻;
反向击穿电压 Vbr、反向漏电流 Ir、齐纳稳压特性;
TVS 浪涌直流耐受、钳位电压、漏电流批量分选。
2)BJT 双极晶体管
输入 / 输出转移 I-V 曲线;
Vbe 正向压降、基极漏电流 Iceo/Icbo;
放大倍数 β 直流提取、饱和压降 Vce (sat)。
3)MOSFET / 功率 MOS
转移特性 Id-Vgs、输出特性 Id-Vds;
阈值电压 Vth、导通电阻 Rds (on);
栅极漏电流 Igss、关态漏电流 Idss、击穿电压 Vds。
三、光电子 / 光通信器件(核心优势应用场景)
1)LED、Mini/Micro LED、HBLED、VCSEL 激光管
光电直流 I-V:Vf 正向压降、正向串联电阻、反向漏电;
阈值电流(激光起振电流)、斜率效率直流电学表征;
圆片级、封装级多头并行老化、恒流点亮寿命测试;
多通道 LED 阵列同步电性分选。
2)光电探测器 PD、APD、光电 IC
暗电流(零光照漏电流)、反向偏置漏电;
反向击穿电压、负载 I-V 响应曲线;
阵列探测器多通道同步漏电筛查。
3)光子 IC、光模块内部电学通道
多通道同步供电 + 电流监测,光收发组件直流功能验证。
四、MEMS/MOEMS 微机电器件
MEMS 开关、微继电器:导通电阻、关态绝缘漏电、吸合 / 释放电压电流;
压力 / 加速度 / 磁传感器:偏置电流、电阻偏移、漏电、应力老化监测;
MEMS 阵列多单元并行长时间寿命 / 应力测试,同步采集每一路 I-V 漂移。
五、IC 芯片(RFIC、模拟 IC、电源 IC)多通道功能测试
多通道同步供电(可编程恒压源),同时监测各路供电电流;
IC 各引脚静态功耗、休眠漏电流、IO 口漏电;
LDO/DC-DC 静态负载 I-V、空载 / 带载静态电流;
RFIC 基带 / 偏置通道直流电性并行验证;
晶圆多 Die 并行电性初测(CP 探针台搭配)。
六、可靠性、应力、寿命老化测试(系统主打场景)
恒压应力 V-stress:多路同步施加固定偏压,长时间记录漏电流漂移;
恒流应力 I-stress:LED、激光管恒流老化,实时监测 Vf 衰减;
温偏湿(THB)配套电性监控:高低温箱内多路器件同步 I-V 巡检;
加速老化、间歇循环应力(电压 / 电流循环切换);
失效监测:记录器件漏电突变、开路、短路失效时刻。
七、无源元器件批量测试
电阻、热敏电阻、电容直流漏电流、磁珠直流阻抗、熔断器通断阻值;阵列无源器件并行分选。
八、量产自动化并行分选(多头测试工装适配)
多工位、多 DUT 同步并行测试(最多 36 通道同时测 36 颗器件);
良率判定、参数分 bin(按 Vf、Vbr、Rds (on) 等自动分级);
晶圆探针测试、封装成品终测电性筛查,大幅提升产线吞吐量。
配套扩展测试(加装 PCI 多功能卡拓展)
搭配系统 PCI 多功能 IO 卡可叠加:
模拟输入 AI:同步采集温度、外部传感器电压;
数字 IO:控制探针台、治具电磁阀、分拣机构;
模拟输出 AO:外部辅助偏置激励。
系统核心测试能力总结
主打高密度多通道并行直流源测,全部测试围绕电压 / 电流激励 + 同步电压 / 电流采集,适合大批量、长时间老化、阵列类器件同步电性表征,是光电、MEMS、半导体晶圆 / 封装量产与可靠性实验室主流平台。


