吉时利几个设计问题的解答

Q1：芯片越来越小，以后的晶片测试将如何完成？

A1：当芯片越来越小，对测试来说，会看到两个趋势，脉冲和快速的测试，脉冲主要是应对像SOI，High-K材料这样新工艺，对于快速测试来说，我们可能要应对NBTI或者是行进间的击穿这样的现象。

Q2：请问有否关于Mosfet 的好的性能检测方案？

A2：对于Mosfet来说，您可能需要一些手动参数的系统，吉时利4200是一个非常流行的好的解决方案，您可以通过4200配置若干个数字源表单元，就可以完成您的摩斯管的特定参数分析。

Q3：对于半导体器件寿命提前测试现今的主要手段是什么？

A3：目前最可靠的手段是WLR，传统的可靠性测试常常是在，把一个芯片分装作成成产品之后再做测试，在这种情况下，如果您发现芯片有寿命问题，在整个过程中，您花费的成本是非常大，我们现在往往会把可靠性测试往前提，就是说把它提到在芯片制造过程中，就可以做一些可靠性测试，对于像Mosfet，现在有一些标准的测试项目，像讲义中提到过的NBTI等，这些都是一些非常标准的WLR测试项目，然后可以通过对这些项目进行检测，就可以对半导体的寿命进行提前预测。

Q4：stress 是由加的电流电压的热效应引起的吗？

A4：在可靠性测试中所谓的stress指的是加电压或者是电流的偏压，在时间上维持一个周期。由于stress会引起器件的很多变化，以HCI为例子，stress会引起器件的特性参数漂移，造成器件的损伤，或者有stress引起的物理或者是化学的效应，热效应其实不是一个最主要的原因。