单机实现三大基本特征分析

单模块双通道集成式源和测量功能

每个4225-PMU模块提供了两个通道的集成式源和测量功能，但是仅仅占用九槽机架中的一个插槽。每个机架最多可安装四个这样的模块，实现最高8个超快的源/测量通道。每个通道兼具高速电压输出（脉宽范围从60纳秒到直流）和同步电流与电压测量两大功能。这种模块实现了高速电压脉冲和同步电流与电压测量功能，采集速率高达200兆次采样/秒（MS/s），具有14位模-数转换器（A/D），每个通道采用了两个A/D（每卡四个A/D）。用户可以选择两种电压源量程（1兆欧输入±10伏/±40伏），以及四种电流量程（800毫安、200毫安、10毫安、100微安）。

可选的硬件扩展源-测量灵活性

每个4225-PMU模块可以配置多达两个可选的4225-RPM远程放大器/开关，从而提供了四种额外的低电流量程。它们还有助于减少线电容效应，并且支持在4225-PMU、4210-CVU和机架中安装的其他SMU之间自动切换。另外还有可选的4220-PGU脉冲发生器，它是仅仅支持电压源功能的4225-PMU替代品。

支持丰富的材料、器件和工艺特征分析应用

4225-PMU和4225-RPM结合在一起能够实现其它单台仪器无法实现的多种应用所必需的工具功能。其中一些主要应用如：

·通用超快I-V测量。脉冲式I-V测试具有很广泛的应用，它通过使用窄脉冲和/或低占空比脉冲而不是直流信号，能够防止器件自热效应。

·CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的高速电压源和电流测量灵敏度使得它们非常适合于CMOS器件的特征分析，包括高k器件和先进CMOS工艺，如绝缘体上硅（SOI）。

·非易失性存储器测试。系统安装的KTEI软件提供了用于闪存和相变存储器（PCM）器件测试的工具包。该系统非常适合于单个存储单元或小规模存储阵列的测试，例如研发或工艺验证之类的应用。

·化合物半导体器件与材料的特征分析。4225-PMU能够对III-V族材料进行特征分析，例如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和其它一些化合物半导体。它允许用户设置一个脉冲偏移电压，然后从非零值进行测量，从而研究器件的放大增益或线性度。

·NBTI/PBTI可靠性测试。可选的4200-BTI-A超快BTI工具包集成了实现所有已知BTI测试方法所需的全部硬件和软件，并且具有最快、最灵敏的测量性能。此外，自动特征分析套件（ACS）软件还支持全自动晶圆级和晶匣级测试，内置NBTI/PBTI测试库，具有简洁易用的GUI。

四种可编程扫描选项

4225-PMU支持四种扫描类型：线性扫描、脉冲、任意波形和分段ARB（已申请专利）。分段ARB模式简化了波形的创建、存储和生成过程，最高支持由2048个用户自定义线段组成的波形，具有出色的波形生成灵活性。

高性能缆接

可选的多路测量高性能线缆套件能够实现4200-SCS和探测控制器的连接，简化在直流I-V、C-V和超快I-V测试配置之间的相互切换过程，无需重新布线，增强了信号保真度。